电源芯片sdh8302s可PIN脚代换VIPER12A/AP8012H

　　电源芯片sdh8302s是用于开关电源的内置高压 MOSFET 的电流模式 PWM 控制器，内置高压启动电路，在轻载下会进入打嗝模式，具有降频、抖频、软启动、VDD 打嗝功能，还集成了 VDD 欠压保护、VDD 过压保护、前沿消隐、输出短路保护、过流保护、过温保护等各种异常状态的保护功能，可PIN脚代换VIPER12A/AP8012H，被广泛应用于离线式开关电源、非隔离升压降压转换器、小家电等领域。
 

　　

　　一、高压启动：SDH8302S内置高压启动电路。启动时，AC 输入电压从 DRAIN 端通过内置高压启动恒流源，对 VDD 端外置电容C1 进行充电，充电电流为 1mA，使得 VDD 电压上升，当升至启动电压 14.3V 时，将高压启动恒流源关断，则 DRAIN端对 VDD 端停止充电，转由辅助绕组 L1 通过二极管 D1 对 VDD 端进行供电；如果 VDD 电压降至欠压保护点8.9V，则将高压启动恒流源重新打开，又由 DRAIN 端对 VDD 端进行充电，使得 VDD 电压上升，升至启动电压 14.3V。

　　

　　二、轻载打嗝：轻载时，如果输出 VOUT 过高，反馈到 FB 端的输入电流 IFB 超过关断电流 1mA，则 SDH8302S关断开关，使得VOUT 下降；而当 VOUT 降至 IFB 减小了 70uA 时，SDH8302S 重新打开开关，使得 VOUT 上升；重复上述过程，进入打嗝模式，这会减少开关次数，从而有效地降低系统的待机功耗。

　　

　　三、降频：为了进一步优化轻载条件下的转换效率，SDH8302S 采用降频模式，即通过检测 FB 端的输入电流 IFB 来调节开关频 率。当 IFB 小于降频开始点 830uA 时，开关频率为60KHz；当 IFB 从降频开始点 830uA 增至降频结束点 930uA 时，开关频率则从 60KHz 线性降至 20KHz；当 IFB 大于降频结束点 930uA 时，开关频率为 20KHz。

　　

　　四、抖频：为了降低 EMI，SDH8302S 采用抖频技术，即让开关频率在调制频率 250Hz 下、抖频范围±2KHz 内不断地变化，减小在某一个单一频率的对外辐射。

　　

　　五、软启动：电源芯片sdh8302s在软启动时间内，限制功率管 MOSFET 的 DRAIN 端最大峰值电流，使其逐步提高，从而大大减小器件的应力，防止变压器饱和。

　　

　　六、VDD 打嗝：SDH8302S在轻载或者满载与空载之间切换时，当开关关断导致 VDD 电压下降至打嗝点 10.7V 时打开开关，使 VDD电压上升；而当 VDD 电压增大了 0.7V 时重新关断开关，使得 VDD 电压下降；重复上述过程，进入打嗝模式，且 VDD电压不会降至欠压保护点 8.9V，这不仅防止 VDD 欠压重启，也有效地降低待机功耗。

　　

　　七、VDD 欠压保护：电源芯片SDH8302S在异常状态导致功率管 MOSFET 关断后，VDD 电压就会由于没有能量供电而一直下降，当降至欠压保护点 8.9V 时，将内置高压启动恒流源打开，则由 AC 输入电压从 DRAIN 端对 VDD 端进行充电，使得 VDD 电压上升，升至启动电压 14.3V 时，SDH8302S 就开始正常工作，这使得电路在异常状态消除后能够自动重启。

　　

　　八、VDD 过压保护：SDH8302S在 VDD 电压达到过压保护点 28V 后关断开关，并锁定保护状态，使得 VDD 电压下降，降至欠压保护点8.9V 后使电路重启。

　　

　　九、前沿消隐：由于电源芯片sdh8302s的 DRAIN 端存在寄生电容，这会导致功率管 MOSFET 在开通的瞬间存在较大的峰值电流，如果采样到该信号，电路就会进入过流保护状态。为了防止这个误触发，SDH8302S设置在功率管 MOSFET 开通一段消隐时间300ns 后再进行采样。

　　

　　十、输出短路保护：SDH8302S检测到 FB 端输入电流 IFB 小于 500uA 时，就判断输出负载短路，进入保护状态，使得 VDD 电压下降，降至欠压保护点 8.9V 后使电路重启。

　　

　　十一、过流保护：SDH8302S检测到 DRAIN 端过流时减少开关次数，直至过流的异常状态消除后才恢复正常的开关。

　　

　　十二、过热保护：SDH8302S检测到温度达到过温保护点 145°C 时关断开关，当检测到温度下降了 25°C 时重新打开开关。

　　

　　SDH8302S采用SOP-8封装，电气特性和功能与VIPER12A/AP8012H基本上一致，电源芯片sdh8302s是可以直接兼容PIN脚代换VIPER12A/AP8012H的，更多SDH8302S相关产品手册及应用资料请向我们申请。>>