SF6010是赛威科技推出的充电器PSR控制器
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所代理的赛威科技(SiFirst Technology)继在离线式(AC/DC)小功率充电器领域推出驱动MOSFET的SF5920系列之后,近期又推出全新的驱动功率BJT的PSR架构芯片SF6010。SF6010适用于充电器领域,可以实现30mW的超低待机功耗和小于±5%的高精度恒压恒流(CV/CC)特性; 赛威这次发布的PSR控制器SF6010分别采用新颖的“多模式控制”和“智能短路保护”技术,大大提高了系统可靠性。
众所周知,原边反馈(PSR)控制架构由于其可省去传统反激架构中的光耦和辅助元件而成为小功率充电器领域的主流架构。近年来,驱动功率BJT的PSR架构由于其系统成本低,因而受到了电源厂家和LED照明驱动厂家的青睐。然而由于功率BJT的耐压比功率MOSFET要低,在极端情况下诸如短路或这过载时容易发生击穿现象从而导致系统损坏。
SF6010采用了专利的 “多模式控制”和“智能短路保护”技术,克服了目前驱动BJT的PSR技术的缺陷,大大提高了系统的可靠性。赛威科技IC研发总监林官秋指出:目前的模拟类PSR系统大都采用PFM控制,PFM控制的好处是其优异的EMI性能。然而在小功率充电器领域,纯粹PFM架构容易导致变压器发生饱和现象,从而导致系统在过载时损坏。
SF6010采用“多模式”控制,通过在满载附近采用PWM+PFM控制,从而防止变压器发生饱和现象,大大提高了系统可靠性。林官秋还指出,传统PFM架构的PSR系统在短路时,容易发生频率“误触发”现象,一方面容易导致系统短路功耗大,另一方面容易导致功率管电压冲高而炸机,尤其是在LED照明领域。当LED进行板端短路测试时,功率BJT由于其耐压值相对较低,从而相对于功率MOS更容易发生炸机现象。
SF6010内部恒压比较器参考电压精度为+/1%,因而可以实现±5%的高精度恒压。同时SF6010还内置线损补偿(cable drop compensation), 并且无需外部环路补偿电容,降低了系统成本。该芯片用在充电器领域时,可以实现30mW的超低待机功耗,达到“五星级”充电器标准。SF6010提供了SOT23-5封装。
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