TK10A60D场效应晶体管MOS管开关稳压器的应用
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TK10A60D场效应晶体管MOS管参数:
低漏极 - 源极导通电阻:RDS(ON)=0.62Ω(典型值)
高正向传输导纳:| Yfs | = 6.0 S(典型值)
低漏电流:IDSS =10μA(VDS = 600 V)
增强模式:Vth = 2.0至4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
TK10A60D绝对最大额定值:
注意:在重负载下连续使用(例如高温/电流/电压的应用和温度的显着变化等)可能导致该产品的可靠性显着降低如果操作条件(即操作温度/电流/电压等)在绝对最大值内收视率.
TK10A60D热特性:
TK10A60D电气特性(Ta = = 25°C):
TK10A60D源漏评级和特性(Ta = = 25°C)
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